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    第三代功率半導體—值得信賴的力量
    第三代半導體的明星產品碳化硅功率器件,隨著全球雙碳產業的蓬勃發展,在新能源汽車、風電、光伏、儲能、大功率工業電源產品中得到了廣泛的使用,隨著材料成本的逐年下降和產品良率的快速提升,碳化硅功率器件的成本也在快速的下降,反過來推動了碳化硅功率器件的應用范圍,包括家電變頻、LED商顯、手機筆電的快充頭都已經開始大規模的采用,隨著產業界對于電源轉換效率的不斷追求,碳化硅二極管和MOSFET已經成為了電力電子產品的最佳選擇。森國科作為碳化硅功率器件的龍頭企業,已經推出了性能覆蓋車規級、工業級的全系列的碳化硅二極管、MOSFET百余款產品,賦能雙碳和低碳。
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    關于森國科
    深圳市森國科科技股份有限公司是一家專業從事碳化硅功率器件設計及銷售的國家高新科技企業,總部設在深圳?,F主營的第五代650V和1200V?TMPS(Thinned?MPS)?碳化硅二極管經過了市場的嚴格驗證,良率高達97%以上,實現了大規模量產。該系列SiC產品以其優于硅基產品的特性,可廣泛應用于新能源汽車、光伏逆變器、充電樁電源模塊、礦機電源、通信設備電源、5G微基站電源、服務器電源、工業電源、快充電源、軌道交通電源等多個應用領域。
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    產品
    碳化硅功率器件解決方案來幫助我們追求更高效、更健康、更環保的未來
    應用
    從多個與國民生活息息相關的場景中皆可看到碳化硅功率器件使用的身影
    知識中心
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    碳化硅二極管 |
    AMB基板:碳化硅模塊封裝新趨勢
    碳化硅作為新一代功率器件典型代表,具有高溫高頻特性,對于電池效率提升和成本降低都有明顯優勢。目前車用進展推進迅速,實際上除了芯片技術外,封裝技術也非常關鍵,新的封裝材料和新的封裝技術層出不窮。對于軌道交通、電動汽車用的高壓、大電流、高功率功率模塊來說,散熱和可靠性是其必須解決的關鍵問題。
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    碳化硅MOSFET |
    一圖搞懂碳化硅——晶圓制造篇
    晶圓的主要加工方式為片加工和批加工,即同時加工1 片或多片晶圓。隨著半導體特征尺寸越來越小,加工及測量設備越來越先進,使得晶圓加工出現了新的數據特點。同時,特征尺寸的減小,使得晶圓加工時,空氣中的顆粒數對晶圓加工后質量及可靠性的影響增大,而隨著潔凈的提高,顆粒數也出現了新的數據特點。
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    碳化硅二極管 |
    碳化硅肖特基勢壘二極管的特征及與碳二極管的比較
    SiC-SBD的特征是其不僅擁有優異的高速性還同時實現了高耐壓,要想提高Si-SBD的耐壓,需要增加Si-SBD漂移區厚度,減小摻雜濃度,但這會帶來阻值上升,VF升高導致損耗大幅增加不適合實際應用,因此Si-SBD一般是偏低壓的規格,而SiC擁有超過硅10倍的絕緣擊穿場強,保持了實際應用特性和可耐高壓的特性。
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