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第三代功率半導體—值得信賴的力量
第三代半導體的明星產品碳化硅功率器件,隨著全球雙碳產業的蓬勃發展,在新能源汽車、風電、光伏、儲能、大功率工業電源產品中得到了廣泛的使用,隨著材料成本的逐年下降和產品良率的快速提升,碳化硅功率器件的成本也在快速的下降,反過來推動了碳化硅功率器件的應用范圍,包括家電變頻、LED商顯、手機筆電的快充頭都已經開始大規模的采用,隨著產業界對于電源轉換效率的不斷追求,碳化硅二極管和MOSFET已經成為了電力電子產品的最佳選擇。森國科作為碳化硅功率器件的龍頭企業,已經推出了性能覆蓋車規級、工業級的全系列的碳化硅二極管、MOSFET百余款產品,賦能雙碳和低碳。
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關于森國科
深圳市森國科科技股份有限公司是一家專業從事碳化硅功率器件設計及銷售的國家高新科技企業,總部設在深圳?,F主營的第五代650V和1200V?TMPS(Thinned?MPS)?碳化硅二極管經過了市場的嚴格驗證,良率高達97%以上,實現了大規模量產。該系列SiC產品以其優于硅基產品的特性,可廣泛應用于新能源汽車、光伏逆變器、充電樁電源模塊、礦機電源、通信設備電源、5G微基站電源、服務器電源、工業電源、快充電源、軌道交通電源等多個應用領域。
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最新動態
2022-08-31
與灣區共創新!森國科在首屆大灣區可持續發展創新挑戰賽中榮獲企業組三等獎
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2022-06-30
助力中國“芯” | 森國科亮相第三屆國產半導體應用技術大會
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2022-08-11
喜訊連連!森國科榮獲“2021電子元器件行業優秀國產品牌企業-專家提名獎”
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2022-07-01
芯片國產替代風口下,設計公司如何做好產品規劃?
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產品
碳化硅功率器件解決方案來幫助我們追求更高效、更健康、更環保的未來
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從多個與國民生活息息相關的場景中皆可看到碳化硅功率器件使用的身影
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碳化硅MOSFET
碳化硅MOSFET分立器件適用于硬開關和諧振開關拓撲如功率因數校正(PFC)電路、雙向拓撲以及DC-DC轉換器或DC-AC逆變器等。其抵御有害寄生導通效應的出色能力,樹立了低動態損耗方面的標桿,即使在橋接拓撲中的零伏關斷電壓下也是如此。1200 V碳化硅 MOSFET系列適用于工業領域,如工業電源,充電樁電源模組和不間斷電源(UPS)。
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碳化硅二極管
相比于硅材料,碳化硅材料的帶隙約是硅材料的三倍;單位面積阻隔電壓的能力(擊穿場強)約是硅的7倍;熱導率方面是硅的3倍之多(功率器件運行時不可避免地有損耗,產生熱量,能夠做到把較多的熱量導出來,代表了功率處理的能力比較強);電子漂移速度是硅的2倍左右;因碳化硅材料卓越的物理特性,碳化硅二極管具備了杰出的耐高壓、高頻、高功率、耐高溫以及零反向恢復電荷等性能,使得650V和1200V的肖特基二極管非常適合應用在高頻和高效率電源系統。 森國科碳化硅二極管根據不同的應用需求完成了多種形式的封裝,從SMA到TO-247以及內絕緣的TO-220AC封裝,也可以與傳統Si器件直接做替換,為工程師們提供了極大的靈活性。
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碳化硅二極管 |
AMB基板:碳化硅模塊封裝新趨勢
碳化硅作為新一代功率器件典型代表,具有高溫高頻特性,對于電池效率提升和成本降低都有明顯優勢。目前車用進展推進迅速,實際上除了芯片技術外,封裝技術也非常關鍵,新的封裝材料和新的封裝技術層出不窮。對于軌道交通、電動汽車用的高壓、大電流、高功率功率模塊來說,散熱和可靠性是其必須解決的關鍵問題。
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碳化硅MOSFET |
一圖搞懂碳化硅——晶圓制造篇
晶圓的主要加工方式為片加工和批加工,即同時加工1 片或多片晶圓。隨著半導體特征尺寸越來越小,加工及測量設備越來越先進,使得晶圓加工出現了新的數據特點。同時,特征尺寸的減小,使得晶圓加工時,空氣中的顆粒數對晶圓加工后質量及可靠性的影響增大,而隨著潔凈的提高,顆粒數也出現了新的數據特點。
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碳化硅二極管 |
碳化硅肖特基勢壘二極管的特征及與碳二極管的比較
SiC-SBD的特征是其不僅擁有優異的高速性還同時實現了高耐壓,要想提高Si-SBD的耐壓,需要增加Si-SBD漂移區厚度,減小摻雜濃度,但這會帶來阻值上升,VF升高導致損耗大幅增加不適合實際應用,因此Si-SBD一般是偏低壓的規格,而SiC擁有超過硅10倍的絕緣擊穿場強,保持了實際應用特性和可耐高壓的特性。
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